Bridgelux gibt Durchbruch bei GaN-Silizium basierten LEDs bekannt

15.März 2011 | Thema: LED | Schlagwörter: LED | Vorheriger LED-Beitrag: « Ersetzen Led Leuchtstoffröhren jetzt die Neonröhren? | Nächster LED-Beitrag: OSRAM LED beleuchten das Christus Monument auf dem Corcovado in Rio de Janeiro. »

Der bekannte LED Hersteller und Entwickler von LED-Beleuchtung, Bridgelux erklärte, dass Bridgelux eine LED Lampe mit 135 Lumen pro Watt mit der GaN-Silizium Technologie realisiert hat.

Damit hat Bridgelux das erste Mal ein so hohe Leistung mit einer Silizium basierten Wafer geschafft.

Die meisten LED Wafers nutzen Siliziumkarbid oder Saphir als Ausgangsmaterial. Aber mit steigendem Durchmesser sind die Wafers schwieriger zu bearbeiten und teuer.

Daraus resultieren die relativ hohen LED Produktions-Kosten.

Wenn die LED's nun aber auf den billigeren und grösseren Silizium-Wafern hergestellt werden können, kann daraus eine 75%ige  Kostenersparnis resultieren.

Durch eine Optimierung des Epitaxie-Prozesses (Kristallwachstum) sollen die 8-Zoll-Si-Wafer auch auf den bestehenden automatisierten Halbleiter Linien verarbeitet werden können, sagt Bridgelux.

Bridgelux erwartet die Auslieferung der ersten kommerziell verfügbaren GaN-Silizium-Produkte im Laufe der nächsten zwei bis drei Jahre.

Das Unternehmen sagte, es wird seine Position in der Verhandlung mit anderen Unternehmen stärken.

Das Unternehmen befindet sich derzeit in Gesprächen mit einer Reihe von Halbleiter-Unternehmen.

www.bridgelux.com